而目前的研究论文也越来越多地集中在纳米材料的研究上，工程国并使用球差TEM等超高分辨率的电镜来表征纳米级尺寸的材料，工程国通过高分辨率的电镜辅以EDX,EELS等元素分析的插件来分析测试，以此获得清晰的图像和数据并做分析处理。

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这种自插层的TMD化合物可以在高金属原子化学势的生长条件下，界奥件邀以局部能量最小值存在插层相图中。罗鑫教授，花落中山大学物理学院教授，花落2011年于中山大学获博士学位，2011年至2013年在新加坡高性能计算研究院担任scientist,2013年至2017年在新加坡国立大学先进二维材料研究中心任研究员，2017年至2018年在香港理工大学担任独立PI助理教授（研究），随后就职于中山大学任正教授

助中c）MBE在2英寸SiO2/Si晶圆片上生长的单层TaS2和双层Ta7S12的照片。

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